Transitor
1. Cấu tạo của Transistor. ( Bóng bán dẫn )
Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp p-n , nếu ghép theo thứ tự pnp ta được Transistor thuận , nếu ghép theo
thứ tự npn ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo transistor
tương đương với hai diode đấu ngược chiều nhau.
Cấu tạo Transistor
Ba lớp bán dẫn được nối ra thành ba cực , lớp giữa gọi là cực gốc ký
hiệu là B ( Base ), lớp bán dẫn B rất mỏng và có nồng độ tạp chất thấp.
Hai lớp bán dẫn bên ngoài được nối ra thành cực phát ( Emitter ) viết
tắt là E, và cực thu hay cực góp ( Collector ) viết tắt là C, vùng bán
dẫn E và C có cùng loại bán dẫn (loại N hay P ) nhưng có kích thước và
nồng độ tạp chất khác nhau nên không hoán vị cho nhau được.
2. Nguyên tắc hoạt động của Transistor.
* Xét hoạt động của Transistor NPN .
Ta cấp một nguồn một chiều UCE vào hai cực C và E trong đó (+) nguồn vào cực C và (-) nguồn vào cực E.
Cấp nguồn một chiều UBE đi qua công tắc và trở hạn dòng vào hai cực B và E , trong đó cực (+) vào chân B, cực (-) vào chân E.
Khi công tắc mở , ta thấy rằng, mặc dù hai cực C và E đã được cấp điện
nhưng vẫn không có dòng điện chạy qua mối C E ( lúc này dòng IC = 0 )
Khi công tắc đóng, mối P-N được phân cực thuận do đó có một dòng điện
chạy từ (+) nguồn UBE qua công tắc => qua R hạn dòng => qua mối BE
về cực (-) tạo thành dòng IB
Ngay khi dòng IB xuất hiện => lập tức cũng có dòng IC chạy qua mối CE
làm bóng đèn phát sáng, và dòng IC mạnh gấp nhiều lần dòng IB
Như vậy rõ ràng dòng IC hoàn toàn phụ thuộc vào dòng IB và phụ thuộc theo một công thức .
IC = β.IB
Trong đó IC là dòng chạy qua mối CE
IB là dòng chạy qua mối BE
β là hệ số khuyếch đại của Transistor
Giải thích : Khi có điện áp UCE nhưng các điện tử và lỗ trống không thể
vượt qua mối tiếp giáp P-N để tạo thành dòng điện, khi xuất hiện dòng
IBE do lớp bán dẫn P tại cực B rất mỏng và nồng độ pha tạp thấp, vì vậy
số điện tử tự do từ lớp bán dẫn N ( cực E ) vượt qua tiếp giáp sang lớp
bán dẫn P( cực B ) lớn hơn số lượng lỗ trống rất nhiều, một phần nhỏ
trong số các điện tử đó thế vào lỗ trống tạo thành dòng IB còn phần lớn
số điện tử bị hút về phía cực C dưới tác dụng của điện áp UCE => tạo
thành dòng ICE chạy qua Transistor.
* Xét hoạt động của Transistor PNP .
Sự hoạt động của Transistor PNP hoàn toàn tương tự Transistor NPN nhưng
cực tính của các nguồn điện UCE và UBE ngược lại . Dòng IC đi từ E sang C
còn dòng IB đi từ E sang B.
3. Ký hiệu trên thân Transistor:
* Hiện nay trên thị trường có nhiều loại Transistor của nhiều nước sản
xuất nhưng thông dụng nhất là các transistor của Nhật bản, Mỹ và Trung
quốc.
- Transistor Nhật bản : thường ký hiệu là A..., B..., C..., D... Ví dụ
A564, B733, C828, D1555 trong đó các Transistor ký hiệu là A và B là
Transistor thuận PNP còn ký hiệu là C và D là Transistor ngược NPN. các
Transistor A và C thường có công xuất nhỏ và tần số làm việc cao còn các
Transistor B và D thường có công xuất lớn và tần số làm việc thấp hơn.
- Transistor do Mỹ sản xuất: thường ký hiệu là 2N... ví dụ 2N3055, 2N4073 vv...
- Transistor do Trung Quốc sản xuất : Bắt đầu bằng số 3, tiếp theo là hai
chũ cái. Chữ cái thức nhất cho biết loại bóng : Chữ A và B là bóng thuận
, chữ C và D là bòng ngược, chữ thứ hai cho biết đặc điểm : X và P là
bòng âm tần, A và G là bóng cao tần. Các chữ số ở sau chỉ thứ tự sản
phẩm. Thí dụ : 3CP25 , 3AP20 vv..
4. Các thông số kỹ thuật của Transistor
- Dòng điện cực đại : Là dòng điện giới hạn của transistor, vượt qua dòng giới hạn này Transistor sẽ bị hỏng.
- Điện áp cực đại : Là điện áp giới hạn của transistor đặt vào cực CE ,
vượt qua điện áp giới hạn này Transistor sẽ bị đánh thủng.
- Tấn số cắt : Là tần số giới hạn mà Transistor làm việc bình thường, vượt
quá tần số này thì độ khuyếch đại của Transistor bị giảm .
- Hệ số khuyếch đại : Là tỷ lệ biến đổi của dòng ICE lớn gấp bao nhiêu lần dòng IBE
Công xuất cực đại : Khi hoat động Transistor tiêu tán một công xuất P =
UCE . ICE nếu công xuất này vượt quá công xuất cực đại của Transistor
thì Transistor sẽ bị hỏng .
Không có nhận xét nào:
Đăng nhận xét